Samsung đã bắt đầu tăng cường đẩy mạnh nghiên cứu các quy trình sản xuất tiên tiến hơn nhằm cạnh tranh với TSMC.
Để bù đắp cho các tác động của chu kỳ giảm giá bộ nhớ, Samsung đã bắt đầu tăng cường đẩy mạnh nghiên cứu các quy trình sản xuất tiên tiến hơn nhằm cạnh tranh với TSMC. Theo Giám đốc điều hành của Samsung, họ sẽ sản xuất chip EUV 7 nm tiên tiến vào nửa cuối năm nay, và vào năm 2021, họ sẽ sản xuất hàng loạt chip GAAFET 3 nm tiên tiến hơn.
Theo Ryan Sanghyun Lee, phó chủ tịch kinh doanh chip của Samsung, hãng đã phát triển công nghệ GAA (Gate-All-Surround) từ năm 2002 và đã tạo ra MBCFET (Multi-Bridge-Channel) bằng cách sử dụng các thành phần nano, điều này sẽ giúp tăng cường đáng kể hiệu năng của các bóng bán dẫn.
Năm ngoái, Samsung cho biết họ sẽ sử dụng quy trình GAAFET 4 nm vào đầu năm 2020. Trước đó, phó chủ tịch hãng phân tích Garner - Samuel Wang, đã nói rằng chip GAAFET sẽ được sản xuất trước năm 2022. Tuy nhiên, Wang nói rằng bây giờ có vẻ như Samsung sẽ đưa chip GAAFET vào sản xuất sớm hơn dự kiến.
Samsung cũng dự kiến sẽ là hãng đầu tiên đưa chip EUV 7 nm vào sản xuất vào cuối năm nay. Yongjoo Jeon, một kỹ sư chính của Samsung Foundry, cũng nói thêm rằng công ty đang đi đúng hướng để đạt được mục tiêu cho việc sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay.
Quang Anh/Theo Gizchina
