Chip nhớ thế hệ mới eUFS 3.0 được Samsung sản xuất hàng loạt.
Với tốc độ đọc tuần tự lên đến 2.100 MB/s, eUFS 3.0 cho tốc độ hoạt động nhanh hơn gấp 4 lần so với tiêu chuẩn ổ cứng SSD trên máy tính hiện nay, và đặc biệt nhanh hơn gấp 20 lần so với tiêu chuẩn thẻ nhớ microSD.
Chính điều này sẽ giúp các thiết bị hoạt động với tốc độ nhanh hơn, trong một thời gian ngắn có thể luân chuyển một lượng lớn dữ liệu, nhất là các dữ liệu về hình ảnh, video với độ phân giải cao lên đến 4K hay thậm chí 8K.
Dự kiến, phiên bản bộ nhớ eUFS 3.0 128 GB và 512 GB sẽ được trình làng trong tháng này.
Đến nửa cuối năm 2019, Samsung sẽ sản xuất thêm 2 phiên bản với bộ nhớ 256 GB và 1 TB.
Như vậy, rất có thể chip nhớ thế hệ mới Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 sẽ xuất hiện lần đầu trên Galaxy Note 10 trong nửa cuối năm 2019.
Q.Anh/Theo Samsung